電力電子工程師們，是否正面臨高頻電路設(shè)計復(fù)雜與中低頻系統(tǒng)能效瓶頸的雙重挑戰(zhàn)？

我們針對多樣化應(yīng)用場景提供精準(zhǔn)解決方案：

? 高頻應(yīng)用：采用碳化硅（SiC）方案替代傳統(tǒng)Si Mos器件，可簡化電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，降低寄生參數(shù)干擾，讓您的設(shè)計更簡潔、更可靠。

? 中低頻應(yīng)用：相比62mm/34mm IGBT方案，SiC器件可提升5-10%系統(tǒng)效率，顯著降低開關(guān)/導(dǎo)通損耗，為工業(yè)電源、光伏逆變器帶來直接經(jīng)濟效益。

無論您需要高頻優(yōu)化的敏捷性，還是追求極致的能源轉(zhuǎn)換效率，Leapers的 IGBT+SiC雙軌技術(shù)矩陣 都能為您的下一代產(chǎn)品提供：

? 更低的系統(tǒng)總成本（TCO）

? 更緊湊的散熱設(shè)計

? 面向未來的可持續(xù)能效升級

探索技術(shù)細(xì)節(jié)：

[62mm Module-Leapers 34mm Module-Leapers]