表面處理電源為重要的工業(yè)電源之一，其包括電鍍電源，陽(yáng)極氧化電源，電解拋光電源，真空鍍膜電源等等。作為相關(guān)的用戶企業(yè)核心生產(chǎn)設(shè)備，其運(yùn)行工況負(fù)責(zé)甚至惡劣，設(shè)備頻繁甚至長(zhǎng)期運(yùn)行開(kāi)機(jī)，其產(chǎn)生的用電成本則為生產(chǎn)企業(yè)的重要的生產(chǎn)成本組成。因此長(zhǎng)期以來(lái)，更高效、更可靠的電源成為終端用戶以及電源設(shè)備廠家所追求的產(chǎn)品。

        典型的表面處理電源拓?fù)淙缦?，其ADCD采用被動(dòng)整流或者主動(dòng)整理，多采用Si器件，而DCDC電路一般采用高頻IGBT模塊，如英飛凌34mm和62mm系列高頻IGBT模塊。

雖然得益于英飛凌高頻IGBT芯片優(yōu)異的性能，可以滿足DCDC對(duì)器件開(kāi)關(guān)頻率≥20kHz的應(yīng)用需求，但是高頻帶來(lái)的高損耗，依然制約了電源的效率。

         第三代SiC半導(dǎo)體具備耐高溫、低損耗、高開(kāi)關(guān)頻率等特性，其特性非常適配表面處理電源的DCDC部分，對(duì)此利普思針推出了34mm-SiC、62mm-SiC，可實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT方案的快速替換：由于封裝兼容，用戶在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)修改后，便可快速實(shí)現(xiàn)SiC替換IGBT的，并帶來(lái)效率和性能的提升。

        以某電鍍電源用戶為例，根據(jù)如下仿真，20khz的開(kāi)關(guān)頻率下，降低了近60%的器件總損耗，其中開(kāi)關(guān)損耗降低85%，同時(shí)芯片結(jié)溫降低了10℃以上，進(jìn)一步降低了功率的溫升壓力。而用戶實(shí)測(cè)，電源效率由94%提升至96%以上，由此可見(jiàn)，在使用62mm-SiC模塊進(jìn)行替換后，帶來(lái)了顯著的收益。

        需要特別指出的是，伴隨著SiC器件的成本顯著降低，在工業(yè)電源領(lǐng)域，采用SiC器件替換IGBT器件，不僅具備性能上的優(yōu)勢(shì)，在成本方面也具備可行性，越來(lái)越多的電源設(shè)備商正在調(diào)整他們的技術(shù)方案并積極使用SiC器件。目前利普思SiC器件已經(jīng)在多個(gè)工業(yè)電源領(lǐng)域被使用，包括表面處理電源，感應(yīng)加熱電源，焊機(jī)電源，測(cè)試電源，脈沖電源等等，我們后續(xù)將進(jìn)一步分享更多的應(yīng)用案例。

利普思半導(dǎo)體——新一代耐用型功率模塊及應(yīng)用專家

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